在连续摩尔定律的这条路上，先进制程一直是台积电、三星以及英特尔重要的角力战场。跟着三星正面回应3纳米将选用全新架构GAA（闸极全环）弯道超车，英特尔也被别传下个年代或许选用GAA架构，这使得芯片代工龙头台积电的挑选，就显得更为重要。
魏哲家于4/16阐明会上，正式发布了3纳米的架构、将会沿袭FinFET，而不同于竞争对手三星的GAA。
“咱们决议三纳米要选用FinFET（鳍式晶体管）架构。”总裁魏哲家在4月16日阐明会上总算揭开这个奥秘面纱，也不禁令外界猎奇，当竞争对手都或许投靠GAA架构的时分，台积电沿袭FinFET架构的原因终究是什么？台积电首席科学家黄汉森着重，从客户的视点动身。
先进制程技能中，架构的人物是什么？
制造芯片的时分，架构的选用是为了要处理电子在传输的过程中或许发生的Short Channel Effect（短信道效应），如漏电等问题。当漏电情况呈现，将影响芯片体现，最直接的便是终端设备功能不如预期，因而制造芯片时都必须战胜这个情况。
以现在选用的FinFET架构为例（左二），紫色区块便是闸极（自动门），而灰色区块便是电流经的信道、也便是鳍的概念。
能够先将架构想成是一个自动门（闸极），当门翻开后电子就会经过，然而在门封闭时，或许由于制程与门都越来越小的原因，导致互相触摸的面积由于缩小而形成不易操控发生电子或许外漏的情况，便是漏电。
以台积电为例，在16纳米前皆是选用Planar架构，并靠着Doping（参杂半导体）的方法来处理漏电的问题，不过当制程缩小、漏电情况也渐渐变得严峻，无法靠Doping来处理漏电问题时，便开端选用FinFET架构。
名为鳍式晶体管，正由于该架构里边的信道从曩昔平面的规划转成笔直立体的规划，看起来像是“鱼鳍”而有此称号。这样的改动让闸极跟鳍所能触摸的面积大幅添加，也能下降旧有架构在制程缩小的情况下发生的漏电情况。
当制程逐步缩小，FinFET架构将碰到瓶颈
“不过FinFET架构的确会遭到接下来制程的缩小而碰到开展的瓶颈，”台积电首席科学家黄汉森点出这个存在的现实与困难。这也是怎么回事在3纳米的节点上，各家半导体企业都开端从头考虑架构的挑选。
黄汉森补充到，在16纳米的制程中选用FinFET架构，每个晶体管能够有许多的鳍，但当制程逐步缩小的时分，鳍的数量也会随之削减。“当然不或许有0.5个鳍啊！”黄汉森笑着说，所以当制程越往下走、空间越来越小的时分，FinFET最特别的笔直规划将会碰上空间跟技能上的应战。
黄汉森不讳言，在先进制程持续往下走的时间，FinFET必定会遇到技能履行上的困难，但架构的挑选不仅仅处理漏电问题罢了，还有更多全面性的要素要考量，也因而三纳米持续沿袭。
“所以咱们就把这个鳍再转过来变成水平，就成了另一种架构的挑选，”黄汉森说。这样的方法有些相似三星的GAA架构，但在台积电这架构称作nanosheet，技能上都是经过变成水平的方法让闸极能够360度的触摸鳍（信道），漏电的操控理论上或许较FinFET来的好。
他泄漏，这个nanosheet是他在1997年就现已提出的架构，但早有这个选项为什么台积电不选用？
对技能纯熟度有决心，台积电从客户视点动身做决议
黄汉森解说，nanosheet技能上来说的确比FinFET来得困难，但这并不是放弃nanosheet架构不必的理由，每个架构都有它的长处与副作用，处理漏电问题是架构首要的功课，但并不等于咱们仅着眼在处理架构的问题就好，还必须进行全面性考量，包含本钱、技能的老练、商场性、功能体现等各种面向。
根据这些理由，台积电因而在三纳米的制程上仍持续选用FinFET架构，以为在已知的技能基础上能够持续带给客户有本钱竞争力、功能体现佳的产品。
面临岔道的挑选，台积电持续以FinFET作为3纳米的架构，除了保证本钱、技能老练度、功能体现等考量外，黄汉森也泄漏改动架构将使客户调整IC规划，而该决议是否包含商业考量，耐人寻味。
他进一步阐明，台积电是如何故“客户为主”的动身点来决议三纳米架构的取舍。除了台积电自身关于FinFET架构的熟稔外，改动架构将会影响客户在IC规划上的内容，为了不形成客户的费事，也期望客户能连续到下一个年代的制程，因而通盘考量下才决议持续沿袭FinFET架构，该做法从7纳米与导入EUV（极紫外光刻）的6纳米就能窥视。
台积电为了在不形成客户担负的前提下，又能供给更好的产品，因而把导入EUV的6纳米供给给一开端挑选7纳米的客户，让客户在不需求调整规划的情况下，能享遭到功能提高的产品。
仅仅回归到架构面的挑选，若竞争对手都将于3纳米改动架构，且需求客户端调整IC规划，沿袭FinFET的做法是否会是台积电在技能有把握的情况下，做出的商场策略，耐人寻味。
至于3纳米今后的架构会怎么走？是否将投靠nanosheet的怀有？黄汉森笑着说一切都仍是未知数，由于未来是否会有更好的架构挑选呈现，谁也说不准。但必定的是3纳米将连续FinFET架构、毫无疑问。
